| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PH6030L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 76.7A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：76.7 A，电阻汲... | ||||||
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PH6325L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRNCH 25V 78.7A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH6530AL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET LFPAK MOSFETs for computing APPS | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.8 mOhms，配置：Singl... | ||||||
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PH7030AL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET 30V 70A N-CH MOSFETs | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，漏极连续电流：76 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：7 mOhm... | ||||||
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PH7030L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH8030L T/R | NXP Semiconductors | SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH8030L,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH8230E,115 | NXP Semiconductors | SOT-669 | 814 | MOSFET N-CH TRENCH 30V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH9025L T/R | NXP Semiconductors | LFPAK | MOSFET PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH9025L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH9030AL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 63A 5-Pin(4+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，漏极连续电流：61 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 mOh... | ||||||
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PH9030L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 63A 5-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：63 A，电阻汲极/... | ||||||
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PH955L T/R | NXP Semiconductors | SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH955L,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH9930L T/R | NXP Semiconductors | LFPAK | MOSFET PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH9930L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
SOT223-1.jpg)
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PHT2NQ10T,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.5 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHT4NQ10LT /T3 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续... | ||||||
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PHT4NQ10LT,135 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续... | ||||||
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PHT4NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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