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PH6030L,115

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 LFPAK56，Power-SO8
数量：
 3627  
说明：
 MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 76.7A
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PH6030L,115-LFPAK56，Power-SO8图片

PH6030L,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：27 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：53 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：16.2 nC
下降时间：14 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-669
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6 mOhms
漏极连续电流：76.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PH6030L,115的详细信息，包括PH6030L,115厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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