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PH8230E,115

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 SOT-669
数量：
 4558  
说明：
 MOSFET N-CH TRENCH 30V
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PH8230E,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PH8230E T/R
典型关闭延迟时间：33 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：44 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：21 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-669
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0082 Ohms
漏极连续电流：67 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

以上是PH8230E,115的详细信息，包括PH8230E,115厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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