| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FCA76N60N | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET SUPREMOS 76A IN TO3P | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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FJ3303010L | Panasonic Electronic Components | SSSMini3-F2-B | MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm | ||
| 参数：制造商：Panasonic，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：0.1 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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FJ3P02100L | Panasonic Electronic Components | 3-SMD，非标准型 | 6,430 | MOSFET 2.0x2.0mm PMCP Power MOSFET | |
| 参数：制造商：Panasonic，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 4.4 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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FJ6K01010L | Panasonic Electronic Components | 6-SMD，扁平引线 | 512 | MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm | |
| 参数：制造商：Panasonic，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，漏极连续电流：- 4 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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FDMJ1023PZ | Fairchild Semiconductor | SC-75，MicroFET | MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/... | ||||||
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FDMJ1027P | Fairchild Semiconductor | 6-MicroFET（2x2） | MOSFET -20V -2.4A PCH 1.8V SPECIF | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，... | ||||||
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FDMJ1028N | Fairchild Semiconductor | MicroFET 2x2 薄型 | MOSFET MLP 20V 3.2A 2.5 VGS NCH S | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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FDMJ1032C | Fairchild Semiconductor | SC-75，MicroFET | MOSFET 20V Dual N&P-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+... | ||||||
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FDML7610S | Fairchild Semiconductor | 8-MLP（3x4.5） | 4,400 | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/... | ||||||
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FDMQ8203 | Fairchild Semiconductor | 12-MLP（5x4.5） | MOSFET Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V, - 80 V... | ||||||
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FDMQ8403 | Fairchild Semiconductor | 12-MLP（5x4.5） | 17,000 | MOSFET SER BOOST LED DRVR | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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FDMQ86530L | Fairchild Semiconductor | 12-MLP（5x4.5） | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：8 A，电阻汲... | ||||||
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FDMS015N04B | Fairchild Semiconductor | 8-PowerTDFN | MOSFET NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：100 A，电... | ||||||
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FDMS0308CS | Fairchild Semiconductor | 8-PQFN（5x6） | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极... | ||||||
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FDMS030N06B | Fairchild Semiconductor | 8-PowerTDFN | 4,526 | MOSFET NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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FDMS0310CS | Fairchild Semiconductor | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，... | ||||||
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FDMS0312S | Fairchild Semiconductor | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/... | ||||||
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FDMS037N08B | Fairchild Semiconductor | 8-PowerTDFN | MOSFET PT7 75V 3.7mohm PQFN56 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：100 A，电... | ||||||
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FDMS039N08B | Fairchild Semiconductor | 8-PowerTDFN | 13,365 | MOSFET FPS | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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FDMS2380 | Fairchild Semiconductor | 18-PowerQFN | MOSFET Dual Integ Solenoid | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，最大工作温度：+ 160 C，安装风格：SMD/SMT，包装形式：... | ||||||
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