| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMG4712SSS-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET MOSFET N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：11.2 A，电阻汲极/源... | ||||||
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DMG4800LFG-7 | Diodes Inc. | 8-PowerUDFN | 3,050 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：7.44 A，... | ||||||
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DMG4800LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：10 A，电阻... | ||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | 27,940 | MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... | ||||||
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DMG5802LFX-7 | Diodes Inc. | W-DFN5020-6 | MOSFET Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMG6402LDM-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 | 8,406 | MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26 | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMG6601LVT-7 | Diodes Inc. | TSOT-26 | MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, - 30 V，漏极连续电流：3.8 A... | ||||||
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DMG6602SVT-7 | Diodes Inc. | TSOT-26 | 1,194 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击... | ||||||
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DMG6898LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET MOSFET N-CHAN | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：9.5 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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DMG6968LSD-13 | Diodes Inc. | - | MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMG6968U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 818,521 | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMG6968UDM-7 | Diodes Inc. | SOT-26 | 52,042 | MOSFET DUAL N-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMG6968UTS-13 | Diodes Inc. | 8-TSSOP | MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 30A IDM | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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DMG7401SFG-13 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMG7401SFG-7 | Diodes Inc. | PowerDI3333-8 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMG7408SFG-7 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMG7702SFG-13 | Diodes Inc. | PowerDI3333-8 | MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 12A - 9.5A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMG7702SFG-7 | Diodes Inc. | PowerDI3333-8 | 281 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8,2K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMG8601UFG-7 | Diodes Inc. | U-DFN3030-8 | MOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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