DMG4800LK3-13

厂家：: Diodes Inc.
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 4050
说明：: MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26.33 ns
上升时间：4.5 ns
功率耗散：1.71 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：8.7 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降时间：8.55 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 mOhms
漏极连续电流：10 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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