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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:14.6 ns
上升时间:7.9 ns
功率耗散:1.42 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:10.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :200 mS
下降时间:3.1 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):20 mOhms
漏极连续电流:10 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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