DMG6402LDM-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: SOT-23-6
数量：: 12510
说明：: MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26

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DMG6402LDM-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13.92 nS
上升时间：6.18 nS
功率耗散：1.12 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降时间：2.84 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-26-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mOhms
漏极连续电流：5.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

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