| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFR120ATF | Fairchild Semiconductor | DPAK | MOSFET 100V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRFR120ATM | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | MOSFET 100V N-Channel A-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRFR120NPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFR120NTRLPBF | International Rectifier | PG-TO252-3 | 3,938 | MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFR120NTRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 57,807 | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFR120PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 9,610 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR120T_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRFR120TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR120TRL | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR120TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 12,487 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR120TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 1,698 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR120TRR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR120TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR120ZPBF | International Rectifier | D-Pak | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFR120ZTRLPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET MOSFT 100V 8.7A 190mOhm 6.9nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFR120ZTRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 12,000 | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFR130ATF | Fairchild Semiconductor | DPAK | MOSFET 100V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRFR130ATM | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | MOSFET 100V N-Channel A-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRFR13N15DPBF | International Rectifier | D-Pak | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFR13N15DTRPBF | International Rectifier | D-Pak | MOSFET MOSFT 150V 14A 180mOhm 19nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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