IRFR13N15DPBF

厂家：: International Rectifier
封装：: D-Pak
数量：: 117
说明：: MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC

一、本商品被浏览0次.

IRFR13N15DPBF PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：12 ns
工厂包装数量：75
上升时间：26 ns
功率耗散：86 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：19 nC
下降时间：11 ns
包装形式：Tube
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：180 m Ohms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRFR13N15DPBF的详细信息，包括IRFR13N15DPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：