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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:18 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:27 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:17 ns
包装形式:Tube
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.27 Ohms
漏极连续电流:7.7 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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