| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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71256SA35SOG1 | Renesas Electronics America Inc | 28-SOIC | IC SRAM ASYNCH | ||
| 参数：Renesas Electronics America Inc|管件|-|最后售卖|易失|SRAM|SRAM - 异步|256Kb|32K x 8|并联|-|3... | ||||||
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7025L12J | Renesas Electronics America Inc | 84-PLCC（29.31x29.31） | IC RAM | ||
| 参数：Renesas Electronics America Inc|管件|-|最后售卖|易失|SRAM|SRAM - 双端口，异步|128Kb|8K x 16|并联... | ||||||
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7024L12J | Renesas Electronics America Inc | 84-PLCC（29.31x29.31） | IC RAM | ||
| 参数：Renesas Electronics America Inc|管件|-|最后售卖|易失|SRAM|SRAM - 双端口，异步|64Kb|4K x 16|并联|... | ||||||
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7164L20TPGI | Renesas Electronics America Inc | 28-PDIP | IC SRAM | ||
| 参数：Renesas Electronics America Inc|托盘|-|最后售卖|易失|SRAM|SRAM - 异步|64Kb|8K x 8|并联|-|20n... | ||||||
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7025L12J8 | Renesas Electronics America Inc | 84-PLCC（29.31x29.31） | IC RAM | ||
| 参数：Renesas Electronics America Inc|卷带（TR）|-|最后售卖|易失|SRAM|SRAM - 双端口，异步|128Kb|8K x 1... | ||||||
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MT53E512M32D2FW-046 AUT:D TR | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|卷带（TR）|Automotive, AEC-Q100|最后售卖|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR... | ||||||
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MT53E512M32D2FW-046 AUT:D | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|散装|Automotive, AEC-Q100|最后售卖|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X|1... | ||||||
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MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|托盘|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X|32G... | ||||||
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MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|托盘|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X|16G... | ||||||
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MT53E1G32D2FW-046 AUT:C | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|托盘|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X|32G... | ||||||
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MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|卷带（TR）|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X... | ||||||
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|卷带（TR）|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X... | ||||||
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MT53E1G32D2FW-046 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|卷带（TR）|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X... | ||||||
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MT53E1G32D2FW-046 AUT:C TR | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|卷带（TR）|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X... | ||||||
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MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|托盘|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X|16G... | ||||||
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|托盘|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X|32G... | ||||||
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MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|卷带（TR）|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X... | ||||||
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MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|卷带（TR）|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X... | ||||||
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MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B | Micron Technology Inc. | 200-TFBGA（10x14.5） | IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | ||
| 参数：Micron Technology Inc.|托盘|Automotive, AEC-Q100|在售|易失|DRAM|SDRAM - 移动 LPDDR4X|16G... | ||||||
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MX30LF2G28AC-XKI | Macronix | 63-VFBGA（9x11） | MEMORY | ||
| 参数：Macronix|托盘|MX30LF|在售|非易失|闪存|FLASH - NAND（SLC）|2Gb|256M x 8|-|-|-|16 ns|2.7V ~ 3... | ||||||
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