MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR

厂家:
  Micron Technology Inc.
封装:
 200-TFBGA(10x14.5)
数量:
 7506  
说明:
 IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
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MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR-200-TFBGA(10x14.5)图片

MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:200-TFBGA(10x14.5)
封装/外壳:200-TFBGA
安装类型:表面贴装型
工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V
访问时间:3.5 ns
写周期时间 - 字,页:18ns
时钟频率:2.133 GHz
存储器接口:并联
存储器组织:512M x 32
存储容量:16Gb
技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储器格式:DRAM
存储器类型:易失
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q100
系列:卷带(TR)
品牌:Micron Technology Inc.

以上是MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR的详细信息,包括MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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