MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR

厂家：: Micron Technology Inc.
封装：: 200-TFBGA（10x14.5）
数量：: 7569
说明：: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

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MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR-200-TFBGA（10x14.5）图片

MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：200-TFBGA（10x14.5）
封装/外壳：200-TFBGA
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
电压 - 供电：1.06V ~ 1.17V
访问时间：3.5 ns
写周期时间 - 字，页：18ns
时钟频率：2.133 GHz
存储器接口：并联
存储器组织：512M x 32
存储容量：16Gb
技术：SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储器格式：DRAM
存储器类型：易失
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q100
系列：卷带（TR）
品牌：Micron Technology Inc.

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