| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSM300GAL120DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 300A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BSM150GAL120DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge GAL 2 | IGBT 模块 1200V 150A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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BSM100GAL120DLCK | Infineon Technologies | 34MM | 7 | IGBT 模块 1200V 100A CHOPPER | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BSM100GAL120DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge GAL 2 | IGBT 模块 1200V 100A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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BSM150GB120DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 150A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM150GB120DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge2 | IGBT 模块 1200V 150A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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BSM150GB120DN2_E3166 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 210A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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BSM150GB120DN2F | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM150GB120DN2F_E3256 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM150GB170DL | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 300A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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BSM150GB170DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1700V 150A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM150GB170DN2 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1700V 150A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM150GB170DN2_E3166 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 220A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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BSM150GB170DN2_E3166c-Se | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM150GB60DLC | Infineon Technologies | 34MM | IGBT 模块 600V 150A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM150GD60DLC | Infineon Technologies | 模块 | IGBT 模块 600V 150A 3-PHASE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM150GT120DLC | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | IGBT 模块 1200V 150A TRIPACK | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM150GT120DN2 | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | IGBT 模块 1200V 150A TRIPACK | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM15GD120DLCE3224 | Infineon Technologies | EconoPACK 2A | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 35A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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BSM15GD120DN2 | Infineon Technologies | EconoPACK 2 | 11 | IGBT 模块 1200V 15A 3-PHASE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
