首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 模块 > BSM150GB170DN2_E3166

BSM150GB170DN2_E3166

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 62 mm
数量：: 4950
说明：: IGBT 模块 N-CH 1.7KV 220A

一、本商品被浏览0次.

BSM150GB170DN2_E3166 PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
包装形式：Reel
封装形式：62 mm
最大工作温度：+ 150 C
在25 C的连续集电极电流：220 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V
配置：Dual
产品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

以上是BSM150GB170DN2_E3166的详细信息，包括BSM150GB170DN2_E3166厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器