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BSM150GB120DN2_E3166

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 62 mm
数量：: 4896
说明：: IGBT 模块 N-CH 1.2KV 210A

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BSM150GB120DN2_E3166 PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
包装形式：Reel
封装形式：62 mm
最大工作温度：+ 150 C
在25 C的连续集电极电流：210 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Dual
产品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

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