| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FZ2400R12KF4 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模块 1200V 2400A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitte... | ||||||
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FZ2400R12KL4C | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模块 1200V 2400A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitte... | ||||||
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FZ2400R17HE4_B9 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ2400R17HP4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ2400R17HP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ2400R17HP4_B29 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ2400R17HP4_B9 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ2400R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 3.2KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FZ2400R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模块 1700 2400A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitte... | ||||||
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FZ2400R17KE3_B9 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 3.45KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FZ2400R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 3.8KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitter Common Gate，集电极—发射... | ||||||
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FZ2400R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1700V 2400A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitte... | ||||||
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FZ300R12KE3B1G | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集电极—发... | ||||||
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FZ300R12KE3G | Infineon Technologies | EUPEC | IGBT 模块 1200V 300A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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FZ1600R12KF4 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1200V 1600A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ1600R12KL4C | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1200V 1600A SINGLE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ1600R17HP4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1600A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
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FZ1600R17HP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1600A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ1600R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.3KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FZ1600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.4KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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