点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:1
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
封装形式:IHM190
最大工作温度:+ 125 C
功率耗散:19.2 KW
栅极—射极漏泄电流:400 nA
在25 C的连续集电极电流:3800 A
集电极—射极饱和电压:2.6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V
配置:Triple Common Emitter Common Gate
产品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon
以上是FZ2400R17KF6C_B2的详细信息,包括FZ2400R17KF6C_B2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!