中文参数如下:
工厂包装数量:10
安装风格:Screw
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
封装形式:62 mm
最大工作温度:+ 125 C
在25 C的连续集电极电流:480 A
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Single Dual Collector Dual Emitter
产品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon
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