| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SKW30N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SKW30N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：... | ||||||
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STGWS38IH130D | STMicroelectronics | TO-247 | IGBT 晶体管 33 A 1300V fast IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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STGWT38IH130D | STMicroelectronics | TO-3P | 238 | IGBT 晶体管 33A 1300V VF IGBT PowerMESH IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：1300 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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STGY40NC60VD | STMicroelectronics | MAX247? | IGBT 晶体管 N Ch 600V 50A Max247 | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGY50NB60HD | STMicroelectronics | TO-247-MAX-3 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 50 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGY50NC60WD | STMicroelectronics | MAX247? | IGBT 晶体管 600V 65A N-Channel | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STG3P2M10N60B | STMicroelectronics | SEMITOP?2 | IGBT 晶体管 1Phase Bridg Rctifir 3 phase invertr IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极... | ||||||
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STG3P3M25N60 | STMicroelectronics | SEMITOP 3-19 | IGBT 晶体管 3 Phase invertr IGBT SEMITOP3 mod | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极... | ||||||
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STK08IE120 | STMicroelectronics | IGBT 晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL | |||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，包装形式：Tube，工厂包装数量：30，... | ||||||
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STGB10NB37LZ | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.8 V，集电极... | ||||||
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STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 1,072 | IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：440 V，栅极/... | ||||||
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STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：过渡期间，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1.8 V，... | ||||||
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STGB10NB60ST4 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 872 | IGBT 晶体管 N-channel MOSFET | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB10NC60KT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 1,889 | IGBT 晶体管 N-channel MOSFET | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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STGB12NB60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：过渡期间，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，... | ||||||
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STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
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STGB14NC60KT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-channel MOSFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/... | ||||||
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