首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > STGB10NB40LZT4

STGB10NB40LZT4

厂家：: STMicroelectronics
封装：: D2PAK
数量：: 5778
说明：: IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp

一、本商品被浏览0次.

STGB10NB40LZT4 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：1000
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：20 A
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：150 W
栅极—射极漏泄电流：700 uA
在25 C的连续集电极电流：20 A
栅极/发射极最大电压：12 V
集电极—射极饱和电压：1.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1.8 V
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGB10NB40LZT4的详细信息，包括STGB10NB40LZT4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：