STGB12NB60KDT4

厂家：: STMicroelectronics
封装：: D2PAK
数量：: 5886
说明：: IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp

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STGB12NB60KDT4 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
集电极最大连续电流 Ic：30 A
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：125 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流：30 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：STMicroelectronics

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