| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
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2N6439 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
Case 316-01 |
5 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
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| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：10，最大工作频率：400 MH... |
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BLW98 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-122A |
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：15，最大工作频率：860 MH... |
|
BLX13C |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-120 |
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：10，最大工作频率：28 MHz... |
|
BLX15 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
|
14 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：15，最大工作频率：28 MHz... |
|
BLX98 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
|
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，配置：Single，最大工作频率：40 MHz to 860 MHz，集电极—发... |
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BLV10 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-123 |
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，配置：Single，直流集电极/Base Gain hfe Min：10，最大工... |
|
BLV11 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-123 |
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：10，最大工作频率：250 MH... |
|
BLV20 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-123 |
15 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：10，最大工作频率：175 MH... |
|
BLV21 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-123 |
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：5，最大工作频率：175 MHz... |
|
BLV31 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-122A |
5 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：15，最大工作频率：224 MH... |
|
BLV32F |
Advanced Semiconductor, Inc. |
Case 316-01 |
5 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：20，最大工作频率：224 MH... |
|
BLV33 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-147 |
5 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：15，最大工作频率：224 MH... |
|
BLV34 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
|
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：25，最大工作频率：225 MH... |
|
BLV57 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-161A |
5 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：15，最大工作频率：860 MH... |
|
BLW32 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-122A |
20 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：20，最大工作频率：860 MH... |
|
BLW50F |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-123 |
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：19，最大工作频率：30 MHz... |
|
BLW77 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-123 |
50 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：15，最大工作频率：28 MHz... |
|
BLW85 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
SOT-123 |
10 |
射频双极电源晶体管 RF Transistor |
|
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，直流集电极/Base Gain hfe Min：10，最大工作频率：175 MH... |
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ASMA101 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
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射频双极电源晶体管 50 Ohm |
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| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，包装形式：Bulk，... |
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ASMA201 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
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射频双极电源晶体管 1-500MHz Gain Block NF=7.5dB Max. 50 Ohm |
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| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，包装形式：Bulk，... |
