Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PTFA210601E V4 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：... | ||||||
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PTFA210601EV4XWSA1 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|16dB|28 V|10μA|-|550 mA|12W|65 V|表... | ||||||
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PTFA210601F V4 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|16dB|28 V|10μA|-|550 mA|12W|65 V|表... | ||||||
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PTFA210601F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 60 W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|16dB|28 V|10μA|-|550 mA|12W|65... | ||||||
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PTFA210701E V4 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：16.5 dB... | ||||||
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PTFA210701E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 70 W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：16.5 dB... | ||||||
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PTFA210701F V4 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：... | ||||||
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PTFA210701F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 70 W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：... | ||||||
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PTFA210701FV4FWSA1 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|16.5dB|30 V|10μA|-|550 mA|18W|65 V... | ||||||
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PTFA211801E V4 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|15.5dB|28 V|10μA|-|1.2 A|35W|65 V|... | ||||||
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PTFA211801E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 180 W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|15.5dB|28 V|10μA|-|1.2 A|35W|6... | ||||||
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PTFA211801E V5 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：17.5 dB，输出功率：180 W，汲极/源极击穿... | ||||||
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PTFA211801E V5 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：17.5 dB，输出功率：180 W，汲极/源极击穿... | ||||||
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PTFA211801F V4 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|15.5dB|28 V|10μA|-|1.2 A|35W|65 V|... | ||||||
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PTFA211801F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 180 W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|15.5dB|28 V|10μA|-|1.2 A|35W|6... | ||||||
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PTFA211801F V5 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：17.5 dB，输出功率：180 W，... | ||||||
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PTFA211801F V5 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：17.5 dB，输出功率：180 W，... | ||||||
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PTFA212001E V4 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：15.8 dB... | ||||||
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PTFA212001E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：15.8 dB... | ||||||
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PTFA212001F V4 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2170 MHz，增益：15.8 dB... | ||||||
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