Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4974DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4980DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4980DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.7 A，电... | ||||||
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SI4980DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.7 A，电... | ||||||
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SI4980DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4980DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 80V 3.7A 2.0W 75mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4982DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.6 A，... | ||||||
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SI4982DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4982DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.6 A，... | ||||||
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SI4982DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4982DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4992EY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL N-CH 75V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4992EY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 75V 4.8A 2.4W 48mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3831DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 7.0V 2.4A 1.5W 170mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SI3831DV-GE3，... | ||||||
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SI3850ADV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.4/0.96A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3850ADV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.4/0.96A 1.08W 300/410mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI3850DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 1.2/0.85A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续... | ||||||
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SI3851DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3851DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3851DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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