Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.2 V，漏极连续电... | ||||||
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SIRA14DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.2 V，漏极连续电... | ||||||
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SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 38.3A N-Ch G-IV | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.4 V，漏极连续电... | ||||||
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SIS330DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIS332DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 30 Volts 35 Amps 33 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIS334DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30 Volts 20 Amps 50 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIS376DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20 Volts 35 Amps 33 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SIS402DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A 5.2W 6.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIS406DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 16,778 | MOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，漏极... | ||||||
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SIS407DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 61,610 | MOSFET 20V 25A P-CH MOSFET | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 25 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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SIS410DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 22,173 | MOSFET 20V 35A 5.2W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIS412DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 136,765 | MOSFET 30V 12A 15.6W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIS414DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SIS424DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 35A 39W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIS426DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 35A 52W 4.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIS430DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 25V 35A 52W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIS434DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SIS434DN-GE3，... | ||||||
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SIS436DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIS438DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 71,108 | MOSFET 20V 16A 27.7W 9.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIS448DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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