NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PMWD19UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET PMWD19UN/TSSOP8/REEL13DP// | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电流：5.6 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PMWD20XN,118 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：10.4 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PMWD26UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电流：7.8 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PMWD30UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电流：5 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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PMZ1000UN,315 | NXP Semiconductors | SC-101，SOT-883 | 42,414 | MOSFET MOSFET N-CH | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：10000，... | ||||||
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PMZ250UN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMZ250UN,315 | NXP Semiconductors | SOT-883 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMZ270XN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZ270XN,315 | NXP Semiconductors | SOT-883 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZ350XN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZ350XN,315 | NXP Semiconductors | SOT-883 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZ390UN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMZ390UN,315 | NXP Semiconductors | SC-101，SOT-883 | 148,493 | MOSFET MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMZ760SN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZ760SN,315 | NXP Semiconductors | SOT-883 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZB290UNE,315 | NXP Semiconductors | DFN1006B-3 | MOSFET N-Chan 20V 1A 715mW | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PMZB370UNE,315 | NXP Semiconductors | DFN1006B-3 | MOSFET N-Chan 30V 900mA | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：900 mA，电阻汲极... | ||||||
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PMZB670UPE,315 | NXP Semiconductors | 3-XFDFN | 3,902 | MOSFET P-Chan -20V -680mA | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：- 680 mA，... | ||||||
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PIP3101-A,127 | NXP Semiconductors | TO-220-5 成形引线 | MOSFET RAIL TOPFET2 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms，配置：... | ||||||
SOT223-1.jpg)
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PIP3103-T,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET TAPE-7 TOPFET2 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：0.7 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：200 mOhms，配置... | ||||||
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