PMZB370UNE,315

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: DFN1006B-3
数量：: 3015
说明：: MOSFET N-Chan 30V 900mA

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PMZB370UNE,315 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：10000
功率耗散：715 mW
包装形式：Reel
封装形式：SOT-883B
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：490 mOhms
漏极连续电流：900 mA
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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