PMWD19UN,518

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 8-TSSOP
数量:
 5256  
说明:
 MOSFET PMWD19UN/TSSOP8/REEL13DP//
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PMWD19UN,518 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:56 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:23 ns
功率耗散:2.3 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:30 ns
包装形式:Reel - 13 in
封装形式:TSSOP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.023 Ohms
漏极连续电流:5.6 A
闸/源击穿电压:+/- 10 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:NXP

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