NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PSMN7R6-60PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 4,055 | MOSFET N-CH 60V STD LEVEL MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：92 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN8R0-30YL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：62 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.3 mO... | ||||||
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PSMN8R0-30YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-chnl30V7.9m logic lvl MOSFET in LFPAK | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：54 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN8R0-40BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40 V 7.6 MOHM MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：36 V，闸/源击穿电压：4.8 V，漏极连续电流：77 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN8R0-40PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 113 | MOSFET N-CH 40V 7.6 mOhm Standard MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：77 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PSMN8R2-80YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，漏极连续电流：82 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PSMN8R3-40YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 827 | MOSFET N-CH 40V 8.6 mOhm Standard MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
_SOT226-20Pkg.jpg)
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PSMN8R5-100ESQ | NXP Semiconductors | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：22.6... | ||||||
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PSMN8R5-100PSQ | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 4,984 | MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：22.6... | ||||||
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PSMN8R5-100XSQ | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：49 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：22.6 ... | ||||||
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PSMN8R5-60YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 1,265 | MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：76 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN8R7-80BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,953 | MOSFET N-CH 80 V 8.7 MOHM MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：73 V，闸/源击穿电压：4.6 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN8R7-80PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 51 | MOSFET N-CHAN 80V 64A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN9R0-25MLC,115 | NXP Semiconductors | SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） | 1,479 | MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33 | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：1.95 V，漏极连续电流：55 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN9R0-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-chnl25V9.1m logic lvl MOSFET in LFPAK | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：46 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN9R0-30LL,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 30V 21A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN9R0-30YL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET <=30V N CH TRENCHFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN9R1-30YL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：57 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.1 mO... | ||||||
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PSMN9R5-100BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 27 | MOSFET N-CH 100 V 9.6 MOHM MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，闸/源击穿电压：4.5 V，漏极连续电流：89 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN9R5-100PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：89 A，电阻汲极... | ||||||
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