PSMN9R0-30LL,115

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 8-DFN3333(3.3x3.3)
数量:
 3933  
说明:
 MOSFET N-CHAN 30V 21A
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PSMN9R0-30LL,115 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1400
功率耗散:50 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:10.6 nC
包装形式:Reel
封装形式:SOT-873-1
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):9 mOhms at 10 V
漏极连续电流:21 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

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