PSMN8R5-100PSQ

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-220-3
数量：: 5740
说明：: MOSFET

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PSMN8R5-100PSQ PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：87 ns
上升时间：35 ns
功率耗散：263 W
栅极电荷 Qg：111 nC
下降时间：43 ns
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：22.6 mOhms
漏极连续电流：100 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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