NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PSMN3R4-30PL,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 30V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN3R5-30LL,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 30V 40A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN3R5-30YL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 1,488 | MOSFET <=30V N CH TRENCHFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN3R5-80ES,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R5-80PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 4,723 | MOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R7-25YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 25V 3.9 mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：97 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN3R7-30YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 30V 3.95mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R8-100BS,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲... | ||||||
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PSMN3R8-30LL,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 30V 40A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN3R9-25MLC,115 | NXP Semiconductors | SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） | 13 | MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33 | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：1.95 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN4R0-25YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH 25 V 4.5 mOhms LOGIC LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：84 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN4R0-30YL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET <=30V N CH TRENCHFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN4R0-40YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 4.2 mOhm Standard MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN4R1-30YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 30V 4.35mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN4R2-60PLQ | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET N-Channel MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：130 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.6 m... | ||||||
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PSMN4R3-100ES,127 | NXP Semiconductors | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Ch 100V 4.3 m std level MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN4R3-100PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 8 | MOSFET N-Ch 100V 4.3 m? std level MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN4R3-30BL,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN4R3-30PL,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 1,166 | MOSFET N-CH 30V 4.3 mOhm Logic Level MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN4R3-80ES,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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