NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PHX23NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PHX27NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20.8 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHX34NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24.8 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHX45NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30.4 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHX8NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：10 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.5 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PHX9NQ20T | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHX9NQ20T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.2 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHT11N06LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-223 | MOSFET TAPE13 PWRMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 13 V，漏极连续电... | ||||||
SOT223-1.jpg)
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PHT11N06LT,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET TAPE13 PWRMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 13 V，漏极连续电... | ||||||
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PBSM5240PF,115 | NXP Semiconductors | 6-HUSON（2x2） | MOSFET BISS | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：0.66 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PBSS3515E,135 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET 15 V, 0.5 A PNP LOW VCESAT TRANSISTOR | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|PNP|500 mA|15 V|250mV @ 50mA，5... | ||||||
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PSMN002-25B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PSMN002-25P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PSMN003-25W,127 | NXP Semiconductors | TO-247 | MOSFET RAIL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PSMN003-30B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN003-30B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN003-30P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN003-30P,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN004-36B /T3 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：36 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：75... | ||||||
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PSMN004-36B,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：36 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：75... | ||||||
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