NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PHB45NQ10T,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,144 | MOSFET TRENCH-100 | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB45NQ15T,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 602 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 48A 3-Pin | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：45.1 A，电阻... | ||||||
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PHB47NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHB47NQ10T,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHB55N03LTA,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：55 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHB66NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB66NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB73N06T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：73 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHB78NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB78NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET PHB78NQ03LT/SOT404/REEL13// | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHB95NQ04LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHB96NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PH16030L T/R | NXP Semiconductors | SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PH16030L,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PH1730AL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET PH1730AL/LFPAK/REEL7 | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.7 m... | ||||||
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PH1825AL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TrenchMOS logic level FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.8 m... | ||||||
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PH1875L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 20A 5-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1500，... | ||||||
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PH1930AL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET PH1930AL/LFPAK/REEL7 | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：2 mOh... | ||||||
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PH1955L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRENCH 55V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：40... | ||||||
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PH20100S,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH TRENCH 100V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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