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中文参数如下:
零件号别名:PH1955L T/R
典型关闭延迟时间:44 ns
工厂包装数量:1500
上升时间:180 ns
功率耗散:75 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:18 nC
下降时间:134 ns
包装形式:Reel
封装形式:LFPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):14.3 Ohms
漏极连续电流:40 A
闸/源击穿电压:15 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP
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