PH1955L,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: LFPAK56，Power-SO8
数量：: 3123
说明：: MOSFET N-CH TRENCH 55V

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PH1955L,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PH1955L T/R
典型关闭延迟时间：44 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：180 ns
功率耗散：75 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：18 nC
下降时间：134 ns
包装形式：Reel
封装形式：LFPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14.3 Ohms
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：15 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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