PH1955L,115

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 LFPAK56,Power-SO8
数量:
 3123  
说明:
 MOSFET N-CH TRENCH 55V
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PH1955L,115 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:PH1955L T/R
典型关闭延迟时间:44 ns
工厂包装数量:1500
上升时间:180 ns
功率耗散:75 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:18 nC
下降时间:134 ns
包装形式:Reel
封装形式:LFPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):14.3 Ohms
漏极连续电流:40 A
闸/源击穿电压:15 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

以上是PH1955L,115的详细信息,包括PH1955L,115厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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