PHB66NQ03LT,118

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中文参数如下：

零件号别名：/T3 PHB66NQ03LT
典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：800
上升时间：90 ns
功率耗散：93 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-404
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0105 Ohms
漏极连续电流：66 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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