International Rectifier
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF7473TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF7474TRPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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IRF7475PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 13nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7475TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 12V 11A 15mOhm 13nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，漏极连续电流：11 A，电阻... | ||||||
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IRF7476PBF | International Rectifier | SOIC-8 | 50 | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7476TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：12 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：8 ... | ||||||
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IRF7477PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 25nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7477TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 25nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7478PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 21nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7478QPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7... | ||||||
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IRF7478QTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7... | ||||||
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IRF7478TR | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26 mOhm, 21 nC Qg, SO-8 | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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IRF7478TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7484PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 69nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极... | ||||||
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IRF7484QTRPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET MOSFET, 40V, 14A 10 mOhm, 69 nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极... | ||||||
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IRF7484TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 40V 14A 10mOhm 69nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：14 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：10... | ||||||
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IRF7488TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 80V 6.3A 29mOhm 38nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7490PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF7490TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 17,931 | MOSFET MOSFT 100V 5.4A 39mOhm 37nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF7492PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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