Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPG20N06S4-15 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4319 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N06S4L-11 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 5381 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N06S4L-14 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4140 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N06S4L-26 | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPI020N06N | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET 60V TO-262 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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IPI020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO262-3-1 | MOSFET MV POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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IPI023NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A... | ||||||
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IPI024N06N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI028N08N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI029N06N | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET 60V TO-262 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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IPI029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | 86 | MOSFET MV POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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IPI030N10N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPI032N06N3 G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI034NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A... | ||||||
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IPI037N06L3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI037N08N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI03N03LA | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI040N06N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 60V 90A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI041N12N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3 | 500 | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 ... | ||||||
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IPI045N10N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | 470 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 ... | ||||||
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