Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPS05N03LBG | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPS060N03L G | Infineon Technologies | TO-251 | 258 | MOSFET N-CH 30V 50A 6mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPS06N03LAG | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPS06N03LZG | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPS075N03L G | Infineon Technologies | TO-251 | 947 | MOSFET N-CH 30V 50A 7.5mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPS090N03L G | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-CH 30V 40A 9mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPS09N03LAG | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPS09N03LB G | Infineon Technologies | PG-TO251-3-11 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANS 30V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPG15N06S3L-45 | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-4 | MOSFET Dual N-Channel 55V Mosfet | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPG15N06S3L45XT，... | ||||||
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IPG20N04S4-08 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 3303 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N04S4-09 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4343 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N04S4-12 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 3698 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N04S4L-07 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 2761 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N04S4L-08 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1400 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N04S4L-11 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 59 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N06S2L-35 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 12884 | MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N06S2L-50 | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极... | ||||||
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IPG20N06S2L-65 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1296 | MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20 A，... | ||||||
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IPG20N06S3L-23 | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-4 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPG20N06S3L-35 | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-4 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPG20N06S3L35XT，... | ||||||
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