Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPA057N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220FP | 492 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPA075N15N3 G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 FullPAK | 500 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA086N10N3 G | Infineon Technologies | TO-220FP | 490 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA093N06N3 G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 FullPAK | 429 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPA100N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220FP | 460 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPA105N15N3 G | Infineon Technologies | TO-220-FP-3 | 474 | MOSFET N-Channel 150V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：37 A... | ||||||
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IPA126N10N3 G | Infineon Technologies | TO-220FP | 490 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA180N10N3 G | Infineon Technologies | TO-220FP | 443 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA50R140CP | Infineon Technologies | TO-220FP | 913 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.140 Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA50R199CP | Infineon Technologies | TO-220FP | 195 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.199 Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA50R250CP | Infineon Technologies | TO-220FP | MOSFET COOL MOS 500V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA50R280CE | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET 500V 280 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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IPA50R299CP | Infineon Technologies | TO-220FP | 246 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.299 Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA50R350CP | Infineon Technologies | TO-220FP | 448 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 500V 0.350 Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA50R399CP | Infineon Technologies | TO-220FP | 493 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.399 Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA50R500CE | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET 500V 500 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.6 A，电阻... | ||||||
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IPA50R520CP | Infineon Technologies | TO-220FP | 220 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.520 Ohms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPA50R950CE | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET 500V 950 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：4.3 A，电阻... | ||||||
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IPA60R099C6 | Infineon Technologies | TO-220FP | 485 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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IPA60R125C6 | Infineon Technologies | TO-220FP | 207 | MOSFET COOLM | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲... | ||||||
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