Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPP120P04P4L-03 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -120A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP120P04P4L03AKSA1 IPP120P04P4L03XK SP00084... | ||||||
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IPP126N10N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 495 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP12CN10L G | Infineon Technologies | TO-220 | 290 | MOSFET OptiMOS 2 PWR-TRANS N-CH 100V 69A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP12CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 67A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP12CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET OptiMOS2 PWR TRANS 85V 67A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP139N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续... | ||||||
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IPP13N03LB G | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP147N03L G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRANS N-CH 30V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP147N12N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3 | 422 | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：56 A... | ||||||
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IPP14N03LA | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH 25V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP16CN10L G | Infineon Technologies | TO-220 | 308 | MOSFET OptiMOS 2 PWR-TRANS N-CH 100V 54A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP16CN10N G | Infineon Technologies | TO-220 | 233 | MOSFET N-CH 100V 53A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP16CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP180N10N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 32 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：43 A... | ||||||
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IPP200N15N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP200N25N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 636 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：64 A，电阻汲... | ||||||
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IPP21N03LG | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IPP22N03S4L15 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPP22N03S4L-15 | Infineon Technologies | TO-220AB | 318 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 54A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPP230N06L3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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