Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPP100N18N3 G | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP100N18N3GXK IPP100N18N3GXKSA1 SP000712484... | ||||||
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IPP100P03P3L-04 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：- 16 V,... | ||||||
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IPP10CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：500，零件号别名：IPP10CN10NGXK，... | ||||||
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IPP10N03LB G | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-CH 30V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP110N06L G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-CH 60V 78A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP110N20N3 G | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | 1100 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：88 A... | ||||||
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IPP110N20NAXK | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | 419 | MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：88 ... | ||||||
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IPP111N15N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 593 | MOSFET N-Channel 150V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：83 A... | ||||||
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IPP114N03L G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRANS N-CH 30V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP114N12N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 361 | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A... | ||||||
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IPP11N03LA | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP120N04S302 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPP120N04S3-02 | Infineon Technologies | TO-220AB | 275 | MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 120A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP120N04S4-01 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP120N04S401AKSA1 IPP120N04S401XK SP0007057... | ||||||
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IPP120N04S4-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP120N04S402AKSA1 IPP120N04S402XK SP0007647... | ||||||
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IPP120N06N G | Infineon Technologies | TO-220 | 108 | MOSFET N-CH 60V 75A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP120N06S4-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP120N06S402AKSA1 IPP120N06S402AKSA2 SP0004... | ||||||
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IPP120N06S4-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP120N06S403AKSA1 IPP120N06S403AKSA2 SP0003... | ||||||
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IPP120N06S4-H1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP120N06S4H1AKSA1 IPP120N06S4H1AKSA2 SP0004... | ||||||
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IPP120P04P4-04 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -120A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP120P04P404AKSA1 IPP120P04P404XK SP0008422... | ||||||
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