Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 70A 6.8mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD70N10S3-12 | Infineon Technologies | TO-252 | 2162 | MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPD70N10S3L-12 | Infineon Technologies | TO-252 | 3252 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 70A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V... | ||||||
|
IPD70P04P4-09 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD70P04P409ATMA1 IPD70P04P409XT SP000709326... | ||||||
|
|
IPD70P04P4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD70P04P4L08ATMA1 IPD70P04P4L08XT SP0008402... | ||||||
|
|
IPD75N04S4-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD75N04S406ATMA1 IPD75N04S406XT SP000711472... | ||||||
|
|
IPD78CN10N G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 13A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPD800N06N G | Infineon Technologies | TO-252 | 9794 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 16A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPD80N04S306 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
|
|
IPD80N04S3-06 | Infineon Technologies | TO-252 | 974 | MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 90A 5.2mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD80N04S3-06B | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Reel，零件号别名：IPD80N04S306BATMA1 IPD80N04S306BXT SP000486946，... | ||||||
|
|
IPD80N06S3-09 | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD80P03P4L-07 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：- 16 V, 5... | ||||||
|
|
IPD85P04P4-07 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD85P04P407ATMA1 IPD85P04P407XT SP000842066... | ||||||
|
|
IPD85P04P4L-06 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD85P04P4L06ATMA1 IPD85P04P4L06XT SP0008420... | ||||||
|
|
IPD90N03S4L02 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：1 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
|
|
IPD90N03S4L-02 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 90A 2.2mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：1 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
IPD90N03S4L03 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极... | ||||||
|
|
IPD90N03S4L-03 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 90A 3mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
|
|
IPD90N04S304 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极... | ||||||
72/305 首页 上页 [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] 下页 尾页
