Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPB26CN10N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 100V 35A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB26CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-CH 85V 35A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：85 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB320N20N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1968 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：34 A，电阻汲... | ||||||
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IPB34CN10N G | Infineon Technologies | TO-263 | 190 | MOSFET N-CH 100V 27A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB35N10S3L-26 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲... | ||||||
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IPB45N04S4L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：45 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB45N06S3-16 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 45A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB45N06S3L-13 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 45A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB45N06S4-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：45 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB45N06S4L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：16 V，漏极连续电流：45 A，电阻汲极... | ||||||
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IPB45P03P4L-11 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流：- 45 A，电... | ||||||
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IPB47N10S33 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：47 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR 100V 47A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB47N10SL26 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：47 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | TO-263 | 1000 | MOSFET SIPMOS PWR-TRANS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB50CN10N G | Infineon Technologies | TO-263 | 388 | MOSFET N-CH 100V 20A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB50N10S3L-16 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB50R140CP | Infineon Technologies | TO-263 | 896 | MOSFET COOL MOS N-CH 550V 23A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB50R199CP | Infineon Technologies | TO-263 | 866 | MOSFET COOL MOS N-CH 550V 17A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPB50R250CP | Infineon Technologies | TO-263 | 848 | MOSFET COOL MOS N-CH 550V 13A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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