| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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SPP15P10PL H |
Infineon Technologies |
PG-TO220-3 |
450 |
MOSFET P-KANAL |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20... |
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SPI35N10 |
Infineon Technologies |
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
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MOSFET N-KANAL POWER MOS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SPI80N03S2-03 |
Infineon Technologies |
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
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MOSFET N-KANAL POWER MOS |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... |
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SPI80N06S-08 |
Infineon Technologies |
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
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MOSFET MOSFET |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... |
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SPI80N06S-08-TU |
Infineon Technologies |
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MOSFET MOSFET |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，包装形式：Tube，零件号别名：SPI80N06S08NK，... |
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SPP16N50C3 |
Infineon Technologies |
TO-220AB |
81 |
MOSFET COOL MOS N-CH 560V 16A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：560 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SPP16N50C3XKSA1 |
Infineon Technologies |
PG-TO220-3-111 |
|
MOSFET |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：560 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲... |
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SPP17N80C3 |
Infineon Technologies |
TO-220AB |
1132 |
MOSFET COOL MOS N-CH 800V |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SPP18P06P |
Infineon Technologies |
TO-220AB |
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MOSFET P-CH 60V 18.6A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... |
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SPP18P06P H |
Infineon Technologies |
TO-220-3 |
384 |
MOSFET SIPMOS Power Transistor |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 1... |
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SPP18P06PG |
Infineon Technologies |
TO-220AB |
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MOSFET P-KANAL |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... |
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SPP20N60C3 |
Infineon Technologies |
TO-220AB |
2626 |
MOSFET COOL MOS N-CH 650V |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SPP20N60C3XKSA1 |
Infineon Technologies |
TO-220-3 |
76 |
MOSFET |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20.7 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0... |
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SPP20N60CFD |
Infineon Technologies |
TO-220AB |
333 |
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 20.7A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SPP20N60CFDXKSA1 |
Infineon Technologies |
PG-TO220-3-1 |
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MOSFET |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：20.7 A，电阻汲极/源极 RDS（导通... |
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SPP20N60S5 |
Infineon Technologies |
TO-220-3 |
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MOSFET COOL MOS N-CH 600V 20A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SPP20N65C3 |
Infineon Technologies |
TO-220AB |
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MOSFET COOL MOS N-CH 650V 20.7 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SPP20N65C3XKSA1 |
Infineon Technologies |
PG-TO220-3 |
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MOSFET |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：20.7 A，电... |
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SPP12N50C3 |
Infineon Technologies |
TO-220AB |
320 |
MOSFET COOL MOS N-CH 560V 11.6A |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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SPP12N50C3XKSA1 |
Infineon Technologies |
TO-220-3 |
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MOSFET |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：560 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：11.6 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0... |
