SPI35N10

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
数量：: 2745
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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SPI35N10 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：39 ns
工厂包装数量：500
上升时间：63 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：23 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.044 Ohms
漏极连续电流：35 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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