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SPP18P06P H

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220-3
数量：
 1887  
说明：
 MOSFET SIPMOS Power Transistor
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SPP18P06P H-TO-220-3图片

SPP18P06P H PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SP000446906 SPP18P06PHXK SPP18P06PHXKSA1
典型关闭延迟时间：25 nS
上升时间：5.8 nS
功率耗散：81.1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：- 21 nC
下降时间：11 nS
包装形式：Tube
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.13 Ohms at - 10 V
漏极连续电流：- 18.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是SPP18P06P H的详细信息，包括SPP18P06P H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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