Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSS139 L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-CH 250V 0.1A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS139 L6906 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 250V .03A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS139H6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 17705 | MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 ... | ||||||
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BSS159N H6327 | Infineon Technologies | PG-SOT23-3 | 3626 | MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS159N H6906 | Infineon Technologies | PG-SOT23-3 | 2489 | MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS159N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 28 | MOSFET N-CH 60V 0.23A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS159N L6906 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 2365 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V .13A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS169 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET CHIPLIEFERUNGEN | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSS169H6327XT BSS169H6327XTSA1 S... | ||||||
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BSS169 H6906 | Infineon Technologies | SOT-23 | MOSFET CHIPLIEFERUNGEN | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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BSS169 L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100 V 0.17 A SMALL SIGNAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS169 L6906 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 1515 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 100V .09A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS169H6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 7183 | MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 ... | ||||||
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BSS192P L6327 | Infineon Technologies | SOT-89-4 | 167 | MOSFET P-CH 250V 0.19A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS205N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSS205NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 112 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：2.5 ... | ||||||
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BSS209PW L6327 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET P-CH -20 V -.58 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSS209PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | MOSFET P-CHANNEL MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSS209PWH6327 BSS209PWH6327XT，... | ||||||
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BSS214N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSS214NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2685 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：1.5 ... | ||||||
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BSS214NW L6327 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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